绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种三端复合型半导体器件，结合了BJT和MOS的优点。它通过栅极电压控制通断，具有高输入阻抗和低导通损耗的特点。主要应用于光伏逆变器、新能源汽车电控系统及工业变频设备等领域。鑫研半导体研发、销售IGBT单管（650V/1200V)和IGBT模块（600V/1200V/1700V)